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深硅刻蝕機(jī)
深硅刻蝕機(jī)PSE V300主要用于12英寸深硅刻蝕，同時(shí)兼具Bosch/Non-Bosch工藝，實(shí)現(xiàn)多工藝領(lǐng)域覆蓋。該機(jī)臺(tái)針對(duì)Bosch循環(huán)工藝方式采用專業(yè)先進(jìn)...
型號(hào)： PSE V300 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 21:53:24 對(duì)比

深硅刻蝕機(jī)PSE V300
緊湊型刻蝕設(shè)備
RIE-1C是用于半導(dǎo)體芯片故障分析的緊湊型刻蝕設(shè)備?？梢愿咝?、低損傷地去除鈍化膜。它操作簡(jiǎn)單，樣品放置后只需按一下按鈕就可以完成整個(gè)過(guò)程?？梢苑旁谧烂嫔?，也可...
型號(hào)： RIE-1C 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 15:24:47 對(duì)比

緊湊型刻蝕機(jī)RIE-1C SAMCO
RIE等離子刻蝕設(shè)備
RIE-300NR是一種理想的RIE等離子刻蝕設(shè)備，適用于加工ø300mm晶圓和多晶圓（ø3“×12，ø4“×...
型號(hào)： RIE-300NR 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 15:19:00 對(duì)比

RIE等離子刻蝕設(shè)備 RIE-300NR SAMCO
反應(yīng)性離子刻蝕系統(tǒng)RIE
可為多種材料提供各向異性干法刻蝕工藝，兼容200mm以下所有尺寸的晶圓，快速更換到不同尺寸的晶圓工藝，電極的適用溫度范圍寬，-150°C至400...
型號(hào)： customize... 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 15:18:55 對(duì)比

離子刻蝕系統(tǒng)RIE 等離子刻蝕固體激光器 InP刻蝕石英刻蝕 OXFORD
RIE等離子刻蝕設(shè)備
RIE-200C RIE等離子刻蝕設(shè)備是在擁有豐富交貨業(yè)績(jī)的CCP RIE系統(tǒng) “RIE-10NR “的基礎(chǔ)上開發(fā)的量產(chǎn)型盒式裝載系統(tǒng)。該系統(tǒng)可對(duì)Si、Poly...
型號(hào)： RIE-200C 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 15:14:14 對(duì)比

RIE等離子刻蝕設(shè)備 RIE-200C SAMCO
離子束刻蝕系統(tǒng)IBE
離子束刻蝕系統(tǒng)IBE 的靈活性、均勻性俱佳且應(yīng)用范圍廣。我們的設(shè)備具有靈活的硬件選項(xiàng)，包括直開式、單襯底傳送模式和盒式對(duì)盒式模式。系統(tǒng)配置與實(shí)際應(yīng)用緊密協(xié)調(diào)，以...
型號(hào)： Ionfab 30... 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 15:12:25 對(duì)比

離子束刻蝕系統(tǒng)IBE 刻蝕設(shè)備 OXFORD
深硅刻蝕系統(tǒng)DEEP SI ETCH
提供深硅蝕刻（DSiE）領(lǐng)域的MEMS，封裝和納米技術(shù)的廣泛應(yīng)用，從光滑側(cè)壁工藝到高刻蝕速率腔刻蝕、高深寬比工藝和錐形通孔刻蝕，不需要更換腔室硬件就可以實(shí)現(xiàn)。
型號(hào)： customize... 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 15:05:06 對(duì)比

深硅刻蝕系統(tǒng)刻蝕設(shè)備刻蝕系統(tǒng)OXFORD
等離子體刻蝕設(shè)備
高密度等離子體刻蝕設(shè)備采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室，是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng)，具有優(yōu)良的工藝重復(fù)性和穩(wěn)定性。
型號(hào)： RIE-800iP 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 15:03:35 對(duì)比

等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備 RIE-800iP SAMCO
RIE等離子刻蝕設(shè)備
RIE-10NR是一種新型的低成本、高性能的全自動(dòng)RIE等離子刻蝕設(shè)備，它能滿足非腐蝕性氣體化學(xué)苛刻的工藝要求。計(jì)算機(jī)化的觸摸屏為參數(shù)控制和存儲(chǔ)提供了一個(gè)用戶友...
型號(hào)： RIE-10NR 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:55:21 對(duì)比

RIE等離子刻蝕設(shè)備 RIE-10NR SAMCO
等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備
RIE-230iP是以電感耦合等離子體為放電方式，等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備高速進(jìn)行各種材料的超精細(xì)加工的負(fù)載鎖定型ICP蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過(guò)采用龍卷風(fēng)式線圈電...
型號(hào)： RIE-230iP 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:32:42 對(duì)比

等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備 RIE-230iP SAMCO
等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備
RIE-400iP是用于ø4 “晶圓的負(fù)載鎖定型蝕刻系統(tǒng)，等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備可對(duì)各種半導(dǎo)體和絕緣膜進(jìn)行高精度、高均勻性加工。采用龍卷風(fēng)線圈的電...
型號(hào)： RIE-400iP 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:30:06 對(duì)比

等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備 RIE-400iP SAMCO
等離子體刻蝕設(shè)備
高密度等離子體刻蝕設(shè)備系統(tǒng)采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室，是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng)，具有優(yōu)良的工藝重復(fù)性和穩(wěn)定性。
型號(hào)： RIE-800iP... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:25:32 對(duì)比

等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備 SAMCO RIE-800iPC
深硅刻蝕設(shè)備
RIE-802BCT深硅刻蝕設(shè)備是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個(gè)反應(yīng)室的量產(chǎn)用硅深孔系統(tǒng)。標(biāo)準(zhǔn)配置有空氣盒和晶圓邊緣保護(hù)環(huán)，以及高精度的晶圓對(duì)準(zhǔn)器。該高...
型號(hào)： RIE-802BC... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:09:17 對(duì)比

深硅刻蝕設(shè)備 RIE-802BCT SAMCO
深硅刻蝕設(shè)備
RIE-800BCT是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產(chǎn)型硅DRIE系統(tǒng)。這種高性能系統(tǒng)能夠進(jìn)行高縱橫比處理（超過(guò)100）和低扇形處理，同時(shí)保持高蝕刻率和選...
型號(hào)： RIE-800BC... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 14:01:59 對(duì)比

深硅刻蝕設(shè)備 RIE-800BCT SAMCO
電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備
Samco 的 RIE-800iPB 是一種電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備，使用高密度等離子體進(jìn)行 MEMS 和 TSV 應(yīng)用所需的深度硅蝕刻。RIE-800iPB是...
型號(hào)： RIE-800iP... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 13:57:32 對(duì)比

深硅刻蝕設(shè)備 RIE-800iPB SAMCO
刻蝕設(shè)備
量產(chǎn)用刻蝕設(shè)備NE-5700/NE-7800量產(chǎn)用刻蝕設(shè)備NE-5700/NE-7800是可以對(duì)應(yīng)單腔及多腔、重視性價(jià)比擁有擴(kuò)展性的刻蝕設(shè)備。
型號(hào)： NE-5700/N... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 10:32:07 對(duì)比

NE-5700/NE-7800 刻蝕設(shè)備
高密度等離子刻蝕裝置
高密度等離子刻蝕裝置ULHITETM NE-7800H高密度等離子客戶裝置ULHITE NE-7800H是對(duì)應(yīng)刻蝕FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM等...
型號(hào)： ULHITETM ... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 10:14:02 對(duì)比

ULHITETM NE-7800H 高密度等離子刻蝕裝置
NLD干法刻蝕設(shè)備
研究開發(fā)向NLD干法刻蝕設(shè)備NLD-570研究開發(fā)向NLD干法刻蝕設(shè)備NLD-570，是搭載了愛(ài)發(fā)科磁性中性線（NLD- neutral loop discha...
型號(hào)： NLD-570 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 9:59:57 對(duì)比

NLD干法刻蝕設(shè)備 NLD-570
干法刻蝕設(shè)備
干法刻蝕設(shè)備 APIOS NE-950EX對(duì)應(yīng)LED量產(chǎn)用的干法刻蝕設(shè)備?NE-950EX?相對(duì)我司以往設(shè)備實(shí)現(xiàn)了140%的生產(chǎn)力。是搭載了ICP高密度等離子源...
型號(hào)： APIOS NE-... 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 9:58:14 對(duì)比

干法刻蝕設(shè)備 APIOS NE-950EX
干法刻蝕裝置
對(duì)應(yīng)光學(xué)器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700對(duì)應(yīng)光學(xué)器件、MEMS制造的干法刻蝕裝置NLD-5700是搭載了磁性中性線（NLD- neutral l...
型號(hào)： NLD-5700 所在地：國(guó)外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/6 9:54:46 對(duì)比

干法刻蝕裝置 NLD-5700

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