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MBE分子束外延系統(tǒng)
RIBERMBE分子束外延系統(tǒng)Compact 21 已成為有史以來最成功的商用 3 英寸 MBE 系統(tǒng)。憑借核心 Compact 21 DNA 在所有配置（II...
型號： Compact 2... 所在地：法國參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 21:09:17 對比

分子束外延薄膜沉積緊湊型 MBE
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE49全自動生產(chǎn)機(jī)器為材料質(zhì)量、產(chǎn)量、產(chǎn)量以及與操作和維護(hù)相關(guān)的成本設(shè)定了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。超過55個(gè)這樣的系統(tǒng)已經(jīng)在全球范圍內(nèi)交付，他們?yōu)榭?..
型號： MBE 49 所在地：法國參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 20:59:44 對比

MBE 分子束外延 RIBER
RIBER分子束外延4 英寸中試生產(chǎn)系統(tǒng)
RIBER分子束外延4 英寸中試生產(chǎn)系統(tǒng)正受到越來越多與工業(yè)合作伙伴合作開展應(yīng)用項(xiàng)目的關(guān)鍵研究機(jī)構(gòu)的關(guān)注。這種興趣的增加部分歸因于 4 英寸（或 3 x 2 英...
型號： MBE 412 所在地：法國參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 20:58:27 對比

MBE 分子束外延分子束外延4英寸分子束外延四英寸4 英寸中試生產(chǎn)系統(tǒng)
Riber分子束外延系統(tǒng)
Riber分子束外延系統(tǒng)的 multi 4“ / 6" MBE 6000 是全球每個(gè)成功的大批量商家或內(nèi)部 epi 操作的核心。它是高通量和可重復(fù)性的MBE基準(zhǔn)...
型號： MBE 6000 所在地：法國參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 20:52:44 對比

RIBER RIBER分子束外延 MBE 6000 – Multi
MBE分子束外延系統(tǒng)
GENxplor® R&D MBE系統(tǒng)獲得了化合物半導(dǎo)體制造的CSindustry獎，采用Veeco成熟的3英寸生長室設(shè)計(jì)，并具工藝靈活性，非常適合U...
型號： GENxplor ... 所在地：國外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 14:25:22 對比

分子束 MBE 薄膜沉積
分子束外延MBE
GEN10™ MBE 系統(tǒng)是成熟平臺中經(jīng)濟(jì)、最靈活的簇狀工具系統(tǒng)，允許多達(dá)三個(gè)可配置的、特定于材料的生長模塊。這使得系統(tǒng)利用率高，允許多個(gè)研究人員同...
型號： GEN10 所在地：國外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 14:14:41 對比

分子束外延 MBE 薄膜沉積
超高真空激光分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)
產(chǎn)品概述：超高真空激光分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)由真空腔室（外延室、進(jìn)樣室）、樣品傳遞機(jī)構(gòu)、樣品架、立式旋轉(zhuǎn)靶臺、基片加熱臺、抽氣系統(tǒng)、真空測量、工作氣路、電控系統(tǒng)...
型號： LMBE450 所在地：沈陽市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 14:13:08 對比

分子束外延薄膜沉積
分子束外延MBE
屢獲殊榮的新型 GENxcel™ 系統(tǒng)是在 GENxplor 的基礎(chǔ)上進(jìn)行的擴(kuò)展，GENxplor™ 是自 2013 年 8 月推出以來...
型號： GENxcel R... 所在地：國外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 11:33:27 對比

分子束外延 MBE 薄膜沉積
分子束外延MBE
Veeco 的 GEN20™ MBE 系統(tǒng)是一種超靈活的工具，其設(shè)計(jì)可針對 III-V 族和新興材料進(jìn)行配置，包括需要集成電子束技術(shù)的應(yīng)用。該系統(tǒng)采...
型號： GEN20 所在地：國外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 11:26:00 對比

分子束外延 MBE 薄膜沉積
8英寸多片硅外延系統(tǒng)
SES系列 8英寸多片硅外延系統(tǒng)為單腔多片式硅外延設(shè)備，適用于4、5、6、8英寸的硅外延工藝。SES系列反應(yīng)腔室采用多片平板式的結(jié)構(gòu)，配合感應(yīng)加熱的方式實(shí)現(xiàn)高質(zhì)...
型號： SES系列所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 11:25:47 對比

SES系列 8英寸多片硅外延系統(tǒng)多片硅外延系統(tǒng)北方華創(chuàng)
分子束外延MBE
Veeco 的 GEN200® MBE 系統(tǒng)是當(dāng)今市場上具成本效益和高容量的多 4 英寸生產(chǎn) MBE 系統(tǒng)。該系統(tǒng)在用于泵浦激光器、VCSEL 和 H...
型號： GEN200 所在地：國外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 11:20:54 對比

分子束外延 MBE 薄膜沉積
8英寸單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)
Esther/Eris 系列 8英寸單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)，傳輸系統(tǒng)和工藝模塊設(shè)計(jì)可兼容多種工藝用途，友好的人機(jī)交互和安全性設(shè)計(jì)保障系統(tǒng)穩(wěn)定、安全、高效，具有...
型號： Esther/Er... 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 11:20:14 對比

Esther/Eris 系列 8英寸單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)單片常壓/減壓硅外延系統(tǒng)北方華創(chuàng)
12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)
Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)，多區(qū)紅外加熱協(xié)同激光微區(qū)補(bǔ)償，溫場均勻可控。
型號： Hesper Ⅱ ... 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 11:15:58 對比

Hesper Ⅱ E630R plus 12英寸減壓選擇性外延系統(tǒng)減壓選擇性外延系統(tǒng)北方華創(chuàng)
12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)
Hesper E230A 12英寸單片常壓硅外延系統(tǒng)，優(yōu)異的氣流場和加熱場設(shè)計(jì)提供優(yōu)良的工藝性能。
型號： Hesper E2... 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 11:09:06 對比

單片常壓硅外延系統(tǒng)Hesper E230A 單片常壓硅外延系統(tǒng)北方華創(chuàng)
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE 8000旨在滿足對高性能化合物半導(dǎo)體器件日益增長的需求。這種在超高壓環(huán)境中使用超純金屬的 8×6? 或 4×8...
型號： MBE 8000 所在地：法國參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 11:08:56 對比

RIBER MBE 里博分子束外延系統(tǒng)
分子束外延MBE
GEN2000® MBE 系統(tǒng)提供吞吐量、更長的活動周期、更小的占地面積和集群工具晶圓處理。它是 HBT 和 pHEMT 等無線通信設(shè)備大批量生產(chǎn)以及...
型號： GEN2000 所在地：國外參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 11:05:13 對比

分子束外延 MBE 薄膜沉積
12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)
Hesper I E430R 12英寸單片減壓硅外延系統(tǒng)，優(yōu)異的氣流場和加熱場設(shè)計(jì)提供優(yōu)良的工藝性能。
型號： Hesper I ... 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 11:03:21 對比

Hesper I E430R 外延系統(tǒng)
多片碳化硅外延系統(tǒng)
MARS iCE120 多片碳化硅外延系統(tǒng)，產(chǎn)能大，6 英寸運(yùn)營成本低,薄膜和厚膜外延兼容，工藝穩(wěn)定性高。
型號： MARS iCE1... 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 10:54:15 對比

多片碳化硅外延系統(tǒng)MARS iCE120
SiC分子外延系統(tǒng)
Epiluvac 產(chǎn)品通常作為完整的系統(tǒng)交付，包括反應(yīng)器模塊、氣體輸送系統(tǒng)、過程控制、安全系統(tǒng)、安裝和調(diào)試。每個(gè)系統(tǒng)在發(fā)貨前都經(jīng)過廣泛的測試，一旦安裝，交付還包...
型號： Epiluvac ... 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/5 10:45:16 對比

SiC外延分子外延薄膜沉積
刻蝕機(jī)終點(diǎn)檢測系統(tǒng)
刻蝕機(jī)終點(diǎn)檢測系統(tǒng) 檢測原理：通過特定波長譜線的強(qiáng)度變化來反映是否達(dá)到刻蝕終點(diǎn)。
型號： customize... 所在地：深圳市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/9/2 17:02:50 對比

刻蝕機(jī)終點(diǎn)檢測系統(tǒng)刻蝕