德國SciDre公司推出的高溫高壓光學浮區(qū)法單晶爐能夠提供2200–3000℃以上的生長溫度，晶體生長腔壓力可達300bar，甚至10-5mbar的高真空。適用于生長各種超導材料單晶，介電和磁性材料單晶，氧化物及金屬間化合物單晶等。

┃ 設備技術參數(shù)

• 采用垂直式光路設計

• 采用高照度短弧氙燈，多種功率規(guī)格可選

• 熔區(qū)溫度：>3000℃

• 熔區(qū)壓力：10bar/50bar/100bar/150bar/300bar等多種規(guī)格可選

• 氧氣/氬氣/氮氣/空氣/混合氣等多種氣路可選

• 采用光柵控制技術，加熱功率從0-99% 連續(xù)可調

• 樣品腔可實現(xiàn)低至10-5mbar真空環(huán)境

• 豐富的可升選件