一、產(chǎn)品概述

全自動(dòng)Mask掩膜板清洗機(jī)是半導(dǎo)體光刻工藝中用于清潔光罩（Reticle/Mask）表面的核心設(shè)備，主要去除光刻膠殘留、顆粒污染、金屬有機(jī)物沉積及蝕刻副產(chǎn)物。其技術(shù)覆蓋濕法化學(xué)清洗、兆聲波振蕩、等離子體處理和超臨界干燥，確保掩膜板圖案的完整性與光刻精度。該設(shè)備適用于EUV（極紫外光刻）、ArF（氟化氬光刻）及傳統(tǒng)光刻工藝，支持6寸至30寸掩膜板的全自動(dòng)化清洗需求。

二、核心技術(shù)與工藝

濕法化學(xué)清洗

試劑組合：采用SC-1（NH?OH/H?O?去有機(jī)物）、SC-2（HCl/H?O?去金屬）、DHF（稀釋氫氟酸去氧化層）等配方，結(jié)合噴淋與浸泡技術(shù)，溶解污染物。

兆聲波輔助：MHz級高頻聲波產(chǎn)生空化效應(yīng)，剝離＜0.1μm的微小顆粒，避免機(jī)械接觸損傷圖案。

等離子體處理

干法去膠：O?/CF?等離子體灰化光刻膠殘留，無液體殘留風(fēng)險(xiǎn)，適用于復(fù)雜圖形區(qū)域。

表面活化：通過等離子體增強(qiáng)掩膜板表面潤濕性，提升后續(xù)工藝附著力。

超臨界CO?干燥

替代傳統(tǒng)IPA（異丙醇）干燥，利用超臨界CO?的低表面張力實(shí)現(xiàn)無水漬、無殘留干燥，避免圖案變形或腐蝕。

智能監(jiān)控與反饋

顆粒檢測：集成液態(tài)顆粒計(jì)數(shù)器（≥0.1μm靈敏度）與激光散射儀，實(shí)時(shí)監(jiān)測清洗液潔凈度。

AI參數(shù)優(yōu)化：基于機(jī)器學(xué)習(xí)分析污染類型（金屬/顆粒/有機(jī)物），動(dòng)態(tài)調(diào)整清洗時(shí)間、溫度及化學(xué)濃度。

三、設(shè)備結(jié)構(gòu)與性能優(yōu)勢

模塊化設(shè)計(jì)

預(yù)處理模塊：去離子水預(yù)沖洗+兆聲波粗洗，去除大顆粒。

主清洗模塊：多槽聯(lián)動(dòng)（化學(xué)槽+噴淋槽+兆聲波槽），支持多步工藝組合。

干燥模塊：超臨界CO?干燥腔+真空熱風(fēng)，控制表面應(yīng)力＜5MPa。

核心性能指標(biāo)

潔凈度：顆粒殘留＜5顆/cm2（≥0.1μm），金屬污染＜0.1ppb（Fe/Cu）。

兼容性：適應(yīng)低k材料、高深寬比結(jié)構(gòu)（如3D NAND掩膜）。

產(chǎn)能：單次清洗周期＜30分鐘（視工藝復(fù)雜度），支持24小時(shí)連續(xù)運(yùn)行。

自動(dòng)化與安全性

無人化操作：機(jī)械臂自動(dòng)上下料，RFID識別掩膜板型號與工藝參數(shù)。

廢液處理：閉環(huán)回收系統(tǒng)，中和后排放，符合環(huán)保法規(guī)（如RoHS、REACH）。

四、應(yīng)用場景與行業(yè)價(jià)值

核心場景

EUV掩膜清潔：去除＜10nm顆粒，保障極紫外光刻的圖案保真度。

ArF掩膜維護(hù)：清除光刻膠殘留，提升28nm以下制程的良率。

封裝：TSV（硅通孔）掩膜清洗，支持3D封裝高精度對位。

行業(yè)痛點(diǎn)解決

缺陷控制：減少光刻膠殘?jiān)鼘?dǎo)致的短路或蝕刻偏差。

成本優(yōu)化：自動(dòng)化降低人工干預(yù)風(fēng)險(xiǎn)，延長掩膜板使用壽命（從500次提升至1000次）。

技術(shù)迭代：兼容HAMR（熱輔助磁記錄）、GAA（環(huán)繞式柵極）等新興制程需求。