納米粒度測(cè)量——優(yōu)良的動(dòng)態(tài)光背散射技術(shù)

Zeta電位測(cè)量：Microtrac MRB以其在激光衍射/散射技術(shù)和顆粒表征方面的獨(dú)到見解，經(jīng)過多年的市場(chǎng)調(diào)研和潛心研究，開發(fā)出新一代NANOTRAC WAVE II微電場(chǎng)分析技術(shù)，融納米顆粒粒度分布與Zeta電位測(cè)量于一體，無需傳統(tǒng)的比色皿，一次進(jìn)樣即可得到準(zhǔn)確的粒度分布和Zeta電位分析數(shù)據(jù)。與傳統(tǒng)的Zeta電位分析技術(shù)相比，NANOTRAC WAVE II采用優(yōu)良的“Y”型光纖探針光路設(shè)計(jì)，配置膜電極產(chǎn)生微電場(chǎng)，操作簡(jiǎn)單，測(cè)量迅速，無需精確定位由于電泳和電滲等效應(yīng)導(dǎo)致的靜止層，無需外加大功率電場(chǎng)，無需更換分別用于測(cè)量粒度和Zeta電位的樣品池，*消除由于空間位阻（不同光學(xué)元器件間的傳輸損失，比色皿器壁的折射和污染，比色皿位置的差異，分散介質(zhì)的影響，顆粒間多重散射等）帶來的光學(xué)信號(hào)的損失，結(jié)果準(zhǔn)確可靠，重現(xiàn)性好。

測(cè)量原理：

粒度測(cè)量：動(dòng)態(tài)光背散射技術(shù)和全量程米氏理論處理

Zeta電位測(cè)量：膜電極設(shè)計(jì)與“Y”型探頭形成微電場(chǎng)測(cè)量電泳遷移率

分子量測(cè)量：水力直徑或德拜曲線

光學(xué)系統(tǒng)：

3mW780nm半導(dǎo)體固定位置激光器，通過梯度步進(jìn)光纖直接照射樣品，在固定位置用硅光二極管接受背散射光信號(hào)，無需校正光路

軟件系統(tǒng)：

優(yōu)良的FLEX軟件提供強(qiáng)大的數(shù)據(jù)處理能力，包括圖形，數(shù)據(jù)輸出/輸入，個(gè)性化輸出報(bào)告，及各種文字處理功能，如PDF格式輸出, Internet共享數(shù)據(jù)，Microsoft Access格式（OLE）等。體積，數(shù)量，面積及光強(qiáng)分布，包括積分/微分百分比和其他分析統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)的完整性符合21 CFR PART 11安全要求，包括口令保護(hù)，電子簽名和指定授權(quán)等。

外部環(huán)境：

電源要求：90-240VAC，5A，50/60Hz

環(huán)境要求：溫度，10-35°C

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：符合ISO13321，ISO13099-2:2012 和 ISO22412:2008

主要特點(diǎn)：

• 采用優(yōu)良的動(dòng)態(tài)光散射技術(shù)，引入能普概念代替?zhèn)鹘y(tǒng)光子相關(guān)光譜法

• “Y”型光纖光路系統(tǒng)，通過藍(lán)寶石測(cè)量窗口，直接測(cè)量懸浮體系中的顆粒粒度分布，在加載電流的情況下，與膜電極對(duì)應(yīng)產(chǎn)生微電場(chǎng)，測(cè)量同一體系的Zeta電位， 避免樣品交叉污染與濃度變化。

• 異相多譜勒頻移技術(shù)，較之傳統(tǒng)的方法，獲得光信號(hào)強(qiáng)度高出幾個(gè)數(shù)量級(jí)，提高分析結(jié)果的可靠性。

• 可控參比方法（CRM），能精細(xì)分析多譜勒頻移產(chǎn)生的能譜，確保分析的靈敏度。

• 超短的顆粒在懸浮液中的散射光程設(shè)計(jì)，減少了多重散射現(xiàn)象的干擾，保證高濃度溶液中納米顆粒測(cè)試的準(zhǔn)確性。

• 快速傅利葉變換算法（FFT，F(xiàn)ast FourierTransform Algorithm Method）,迅速處理檢測(cè)系統(tǒng)獲得的能譜，縮短分析時(shí)間。

• 膜電極設(shè)計(jì)，避免產(chǎn)生熱效應(yīng)，能準(zhǔn)確測(cè)量顆粒電泳速度。

• 無需比色皿，毛細(xì)管電泳池或外加電極池，僅需點(diǎn)擊Zeta電位操作鍵，一分鐘內(nèi)即可得到分析結(jié)果

• 消除多種空間位阻對(duì)散射光信號(hào)的干擾，諸如光路中不同光學(xué)元器件間傳輸?shù)膿p失，樣品池位置不同帶來的誤差，比色皿器壁的折射與污染，分散介質(zhì)的影響，多重散射的衰減等，提高靈敏度。