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新型鈣鈦礦材料缺陷檢測(cè)技術(shù)突破:正電子湮沒譜學(xué)揭示微觀奧秘

來(lái)源:安徽核芯電子科技有限公司   2025年05月09日 09:17  

新型鈣鈦礦材料缺陷檢測(cè)技術(shù)突破:正電子湮沒譜學(xué)揭示微觀奧秘


甲基銨鉛溴(CH3NH3PbBr3)作為一種明星鈣鈦礦材料,在太陽(yáng)能電池、發(fā)光二極管和γ射線探測(cè)器中展現(xiàn)出巨大潛力。其優(yōu)異的光電性能源于可調(diào)的帶隙和高效的電荷傳輸特性,但材料內(nèi)部的微觀缺陷——如原子空位或雜質(zhì)——會(huì)顯著降低器件效率。這些缺陷如同“隱形陷阱”,阻礙電荷流動(dòng)并引發(fā)能量損失。盡管缺陷控制至關(guān)重要,其化學(xué)本質(zhì)和濃度的精確檢測(cè)始終是科研難點(diǎn)。




矛盾結(jié)果背后的科學(xué)謎題


過(guò)去研究中,正電子湮沒壽命譜學(xué)(PALS)被用于探測(cè)材料缺陷。正電子作為電子的反物質(zhì),在材料中“游蕩”時(shí)會(huì)被缺陷捕獲并湮滅,湮滅時(shí)間的長(zhǎng)短直接反映缺陷的尺寸和電子密度。然而,不同團(tuán)隊(duì)對(duì)同一材料的測(cè)量結(jié)果差異巨大:有研究稱晶體幾乎無(wú)缺陷,也有報(bào)告指出鉛空位濃度高達(dá)101? cm?3。這些矛盾源于樣品制備方法不同,以及傳統(tǒng)實(shí)驗(yàn)對(duì)表面缺陷干擾的敏感性。




從生長(zhǎng)到測(cè)量的雙重突破


新型鈣鈦礦材料缺陷檢測(cè)技術(shù)突破:正電子湮沒譜學(xué)揭示微觀奧秘


本研究通過(guò)反溶劑氣相輔助法制備出毫米級(jí)立方單晶,大幅減少表面缺陷干擾。團(tuán)隊(duì)首ci在真空和變溫條件下(295350 K)進(jìn)行PALS實(shí)驗(yàn),結(jié)合雙組分密度泛函理論(DFT計(jì)算,揭示了鉛空位的微觀動(dòng)態(tài)。(插入圖片:正電子在鉛空位處的密度分布模擬) 實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)兩個(gè)壽命分量:短壽命分量(217±8 ps)對(duì)應(yīng)受缺陷影響的“縮減體態(tài)”,長(zhǎng)壽命分量(382±8 ps)直接指向鉛空位缺陷。溫度升高導(dǎo)致湮滅時(shí)間延長(zhǎng),印證了缺陷帶負(fù)電的特性。計(jì)算進(jìn)一步表明,鉛空位的湮滅壽命隨局部化學(xué)環(huán)境變化(353388 ps),而最穩(wěn)ding的空位構(gòu)型與實(shí)驗(yàn)結(jié)果高度吻合。




為何鉛空位成為“關(guān)鍵先生”?


新型鈣鈦礦材料缺陷檢測(cè)技術(shù)突破:正電子湮沒譜學(xué)揭示微觀奧秘


通過(guò)第yi性原理計(jì)算,團(tuán)隊(duì)模擬了多種缺陷(如溴空位、甲基銨空位)的湮滅響應(yīng),發(fā)現(xiàn)鉛空位的形成能最di(0.54 eV),室溫平衡濃度達(dá)5.1×1012 cm?3,與實(shí)驗(yàn)測(cè)量的缺陷密度(1.2×101? cm?3)趨勢(shì)一致。鉛空位周圍的溴八面體結(jié)構(gòu)形成“電子低密度區(qū)”,導(dǎo)致正電子局域化并延長(zhǎng)湮滅時(shí)間。這一發(fā)現(xiàn)解釋了不同生長(zhǎng)方法(如反溶劑法與逆溫結(jié)晶法)對(duì)缺陷類型的影響:劇烈結(jié)晶過(guò)程可能誘發(fā)更多小尺寸空位。




從實(shí)驗(yàn)室到產(chǎn)業(yè)化的橋梁


該研究為鈣鈦礦材料的缺陷工程提供了直接指導(dǎo)。例如,可通過(guò)調(diào)節(jié)前驅(qū)體比例或優(yōu)化結(jié)晶條件抑制鉛空位生成。此外,正電子湮沒技術(shù)的高靈敏度使其成為材料質(zhì)量監(jiān)控的有力工具,尤其在薄膜器件和輻射探測(cè)器開發(fā)中潛力顯著。

這項(xiàng)突破不僅解決了長(zhǎng)期爭(zhēng)議的缺陷識(shí)別難題,更為下一代高性能光電器件的設(shè)計(jì)與優(yōu)化提供了微觀尺度上的“導(dǎo)航圖”。




實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)缺陷檢測(cè)的國(guó)產(chǎn)利器


安徽核芯電子科技有限公司的DPLS-4000數(shù)字化正電子湮沒壽命譜儀,時(shí)間分辨率190 ps,可精準(zhǔn)識(shí)別材料中空位型缺陷(如本研究中的鉛空位)。其一體化設(shè)計(jì)支持快速測(cè)量,搭配自動(dòng)校準(zhǔn)功能,適用于單晶、薄膜及納米材料分析??筛鶕?jù)用戶需求定制變溫、真空、光照等原位測(cè)量環(huán)境。





SCHMIDT J A, TINTE S, DALOSTO S, , 2025. Positron Annihilation Lifetime Spectroscopy of Single Crystalline CH3NH3PbBr3?: Experiments and Ab Initio Calculations[J/OL]. The Journal of Physical Chemistry C, 129(15): 7207-7216.




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