碳化硅SiC外延工藝溫度監(jiān)測(cè)方案

來(lái)源：上海明策電子科技有限公司 2024年10月08日 14:16

SiC外延需要嚴(yán)格控制厚度均勻性、摻雜均勻性、缺陷率和生長(zhǎng)途率,方法包括化學(xué)氣相沉積CVD、液相外延LPE、分子束外延MBE等,其中CVD兼?zhèn)涑杀具m中+外延質(zhì)量好+生長(zhǎng)速度快的優(yōu)勢(shì),應(yīng)用廣。

微信截圖_20241008114603.png

該工藝生長(zhǎng)溫度需要達(dá)到最高 1700 ℃，還涉及到多種復(fù)雜氣氛環(huán)境，這對(duì)設(shè)備結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和控制帶來(lái)很大的挑戰(zhàn)。

SiC CVD外延設(shè)備一般采用水平熱壁式反應(yīng)腔、水平溫壁式反應(yīng)腔和垂直熱壁式反應(yīng)腔 3 種設(shè)備結(jié)構(gòu)原理形式。

在水平熱壁單片式外延爐中高溫計(jì)通過(guò)石英窗口以及石墨熱壁開孔，可以測(cè)試石墨熱壁中段的溫度。根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備情況，高溫計(jì)可選用激光瞄準(zhǔn)或視頻瞄準(zhǔn)形式。

相關(guān)產(chǎn)品

凡本網(wǎng)注明“來(lái)源：化工儀器網(wǎng)”的所有作品，均為浙江興旺寶明通網(wǎng)絡(luò)有限公司-化工儀器網(wǎng)合法擁有版權(quán)或有權(quán)使用的作品，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用作品的，應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使用，并注明“來(lái)源：化工儀器網(wǎng)”。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其他來(lái)源（非化工儀器網(wǎng)）的作品，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé)，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。其他媒體、網(wǎng)站或個(gè)人從本網(wǎng)轉(zhuǎn)載時(shí)，必須保留本網(wǎng)注明的作品第一來(lái)源，并自負(fù)版權(quán)等法律責(zé)任。
如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)等問(wèn)題，請(qǐng)?jiān)谧髌钒l(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。

中国少妇a片bbbbbb洗澡,岳打开双腿开始配合交换,中文字幕无码乱人伦,国产乱人对白A片