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日本sanyu-electron濺射設備原理
這是將膜附著在物質上的方法，與電鍍不同，它是在真空中進行的，無需使用化學藥品。（在半導體制造中，與濕法相反，這稱為干法。）
- 將要附著的樣品放置在膜上，膜的原料（目標）彼此靠近。
- 將整體抽真空，并在樣品和目標之間施加電壓。
- 電子和離子高速移動，離子與目標碰撞。高速移動的電子和離子與氣體分子碰撞，排斥分子中的電子，成為離子。
- 與目標碰撞的離子會排斥目標顆粒。（濺射現象）
- 被排斥的原料顆粒與樣品碰撞并粘附，從而形成膜。
飛濺的歷史
這種現象早已為人所知，但其實際應用是相對較新的。有關更多信息，請參見“相關鏈接”中的參考。
- 1852年，飛濺現象被英國科學家Globe發(fā)現。此時，重要的是如何減少作為放電管變臟的原因的飛濺。Globe作為燃料電池的第yi個實驗者而聞名。
- 第二次世界大戰(zhàn)期間，對光學部件減反射膜的需求增加，真空設備也有所發(fā)展。
- 1960年代后，濺射成膜技術開始主要在美國使用。（第yi臺商用電子顯微鏡于1965年制造。）
- 在膜形成技術之前，將濺射現象用作離子泵。（通過濺射將氣體分子帶入電極中以獲得更高的真空度。）
成膜方法分類
濺射和真空沉積是利用物理現象的成膜方法，但是也有利用化學反應的CVD方法。
- CVD [化學氣相沉積]化學氣相沉積。該方法是將樣品放置在氣體原料的氣氛中，并通過化學反應在樣品的表面形成薄膜的方法。碳化硅膜是*的，但它們也用于金屬和有機聚合物。其特征在于可以形成高純度的膜。
- 另一方面，真空沉積和濺射被稱為PVD [物理氣相沉積]物理氣相沉積方法。該膜是通過將由于蒸發(fā)或濺射而變成顆粒的原材料粘附到樣品上而形成的，并且不涉及化學反應。
飛濺的特征
成膜方法具有以下特征。
- 作為膜原料的顆粒的能量大，并且對樣品的粘附力大。形成堅固的膜
- 可以在不改變諸如合金和化合物之類的原料的組成比的情況下進行成膜。
- 即使是高熔點原料，也難以成膜。
- 只能通過時間來高精度地控制膜厚度。
- 通過引入反應性氣體，可以形成氧化物和氮化物6：即使在大面積上也可以形成均勻的膜。
- 蝕刻可以通過將樣品放置在目標位置來進行。
- 成膜速度通常較慢（取決于方法）
各種濺射方法
引入的原理是直流濺射，但是已經設計出各種方法來彌補該缺點。以下是典型的濺射方法。
- 直流濺射-在兩個電極之間施加直流電壓的方法
- 射頻濺射-如何施加交流電（高頻）
- 磁控濺射-一種通過在磁體的靶側產生磁場來從樣品中分離血漿的方法。
- 離子束濺射-一種在與靶標或樣品不同的位置產生離子并加速向靶標施加的方法。
此外，還有相反的目標，用于ECR（電子回旋加速器）和半導體制造的準直儀以及長距離方法。另外，已經開發(fā)了用于磁控管方法的各種方法，其中改變了靶的形狀和磁體的布置。
直流濺射
這是初設想的濺射方法。有關詳細信息，請參見“什么是濺射？原理”。
DC濺射具有許多優(yōu)點，例如結構簡單，但是存在以下問題。
- 必須引起輝光放電，并且設備內部的真空度相對較低，這會受到殘留氣體的影響。具體而言，膜與氣體反應，或者氣體被捕集在膜中。
- 氣體處于分為離子和電子的等離子體狀態(tài)，樣品也暴露于高溫等離子體中。由于溫度上升而損壞。
- 當原料（靶）是絕緣體時，離子沉積在表面上，并且放電停止。
如何使用飛濺
隨著RF飛濺物的發(fā)展，可以形成各種物質以及金屬的薄膜，因此被廣泛使用。
- 磁盤（垂直磁記錄介質的生成）
- CD / DVD（記錄面上的金屬膜）
- 半導體（電路產生。存儲器[鐵電膜]，各種傳感器）
- 磁頭（用于高密度記錄的硬盤。新的使用多層膜的磁頭）
- 噴墨打印機頭
- 液晶顯示裝置（透明電極的產生）
- 有機EL顯示裝置（透明電極的產生）
- 高亮度LED
- 電子顯微鏡的樣品制備（通過導電膜防靜電）
- 光催化薄膜
- 分析（確定通過濺射跳過的表面物質，而不是成膜的物質）
- 納米機（形狀記憶合金膜）
- 在塑料和玻璃上產生電磁屏蔽膜
臺式快速涂布機SC系列緊湊型濺射設備，用于制備導電薄膜
使用緊湊且易于使用的設備可以輕松生產各種金屬的薄膜。請參見此處進行
SEM / TEM等預處理。
SC-701MkⅡ進階
 | 高規(guī)格緊湊型鍍膜機，適用于各種金屬，例如鎳，鉻，鎢，鈦，鋁 |
SC-701AT
 | 只需設置樣本并等待。全自動濺射，膜厚可調。 |
SC-701HMCⅡ
 | 磁控管類型適用于W / Ti / Cr等薄膜生產。微電腦控制/自動快門標準設備。 |
SC-701MkⅡ
 | 該系列中小的濺射，使電極薄膜的制造變得容易 |
SC-701MC
 | 使用對樣品友好的磁控管陰極。膜厚可控的全自動模型。 |
SC-708系列
 | 非常適合在大型基板上進行薄膜制造以及PDMS的表面處理 |
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