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當(dāng)前位置：上海艾飛思精密儀器有限公司>>zeta電位儀>> Zeta100電位納米粒度分子量分析儀
- Zeta電位測(cè)試
| 測(cè)試范圍 | -500mv ~ 500mv | 粒度范圍 | 1nm-9500nm（與樣品有關(guān)） |
| 樣品池容積 | 400μl | 測(cè)試原理 | ELS（電泳光散射） |
| 散射角 | 15 度 | 大濃度 | 40% w/v |
| 相關(guān)器 | 1000通道線性相關(guān)器 | 電導(dǎo)率范圍 | 200 mS/cm |
- 粒度分布測(cè)試
| 粒度測(cè)試范圍 | 1-9500nm（與樣品有關(guān)） | 測(cè)試原理 | DLS( 動(dòng)態(tài)光散射) |
| 重復(fù)性誤差 | ≤1%（國(guó)標(biāo)樣D50 偏差） | 相關(guān)器 | 1000 個(gè)物理通道 |
| 準(zhǔn)確性誤差 | ≤1%（國(guó)標(biāo)樣D50 偏差） | 光源 | 固體激光器 |
| 樣品池容積 | 1ml / 4ml | 激光器波長(zhǎng) | 671nm |
| 樣品池溫控范圍 | 15℃—90℃ | 激光器功率 | 50mW |
| 溫控精度 | ±0.2℃ | 散射角 | 90 度 |
- 分子量測(cè)試
| 分子量范圍 | 1000Da—2x107Da | 準(zhǔn)確性誤差 | ≤ 10% |
| 測(cè)試原理 | SLS（靜態(tài)光散射） | 重復(fù)性誤差 | ≤ 5% |
三、主要應(yīng)用領(lǐng)域
包括納米金屬氧化物、水處理、納米金屬粉、納米陶瓷材料、蛋白質(zhì)、聚合物膠乳、藥物制備、水/ 油乳液 、油漆、涂料、顏料 、油墨、調(diào)色劑 、化妝品以及其它所有納米材料研究、納米材料制備與納米材料應(yīng)用等領(lǐng)域。
四、突出特點(diǎn)
- BT-Zeta100電位測(cè)量采用電泳光散射（ELS）原理，通過(guò)測(cè)量顆粒在電場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)速度進(jìn)而得到zeta電位。一般來(lái)說(shuō)，zeta電位越高，顆粒之間相互排斥越劇烈，分散體系越穩(wěn)定。
- 納米粒度分布測(cè)量采用動(dòng)態(tài)光散射（DLS）原理，顆粒在懸浮液中進(jìn)行布朗運(yùn)動(dòng)，較小顆粒的移動(dòng)速度快于較大顆粒，在某個(gè)角度檢測(cè)記錄散射光強(qiáng)，散射光強(qiáng)的相關(guān)曲線體現(xiàn)了顆粒的移動(dòng)速度，利用這些信息可以計(jì)算顆粒的粒度分布。
- 分子量測(cè)量采用靜態(tài)光散射（SLS）原理，散射光的強(qiáng)度與分子量直接相關(guān)。測(cè)量不同濃度中測(cè)量散射光強(qiáng)，繪制德拜曲線即可得到樣品分子量。
五、良好的重復(fù)性
- 穩(wěn)定的折疊光路系統(tǒng)
- 高速數(shù)據(jù)采集與轉(zhuǎn)換模塊
- 高精度樣品池定位組件
六、良好的準(zhǔn)確性
- 粒度測(cè)試準(zhǔn)確性：用100nm 標(biāo)準(zhǔn)樣品測(cè)試，結(jié)果為101nm，誤差范圍為1%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于標(biāo)準(zhǔn)ISO13321 允許誤差10% 的要求。
- Zeta 電位測(cè)試準(zhǔn)確性：用-55mv 標(biāo)準(zhǔn)樣品測(cè)試，結(jié)果為-59.7994mv，誤差范圍為8.7%，小于標(biāo)準(zhǔn)ISO13099 允許誤差10% 的要求。
- 分子量測(cè)試
