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PHI nano TOF3+ 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

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束蘊(yùn)儀器(上海)有限公司自成立以來,憑借與德國布魯克(BRUKER)、國際衍射數(shù)據(jù)中心(ICDD)、德國Freiberg等國際實(shí)驗(yàn)室分析儀器品牌的戰(zhàn)略合作,迅速成為業(yè)界儀器供應(yīng)商。

我們擁有一支積極樂觀,正直誠信的年輕團(tuán)隊(duì),我們熱忱的信仰科學(xué),相信科學(xué)技術(shù)能為我們的客戶帶來質(zhì)量較高的生活,為社會的進(jìn)步起到積極的促進(jìn)作用。

束蘊(yùn)儀器為各類客戶提供完善的實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)檢測儀器及過程控制設(shè)備,專業(yè)的應(yīng)用支持及完善的售后服務(wù),在中國大陸的諸多領(lǐng)域擁有大量用戶,如高校、科研院所、航空航天、國家機(jī)關(guān)、檢驗(yàn)機(jī)構(gòu)及工業(yè)企業(yè),產(chǎn)品覆蓋了醫(yī)藥、生物、材料、考古、電子、食品等各個(gè)行業(yè)。公司的宗旨:為客戶量身打造適合的綜合解決方案,技術(shù)支持和現(xiàn)場服務(wù),系統(tǒng)高效的客戶培訓(xùn),快速及時(shí)的售后服務(wù)。

束蘊(yùn)儀器,讓世界更清晰!

主營儀器設(shè)備:

--高分辨X射線顯微CT、多量程X射線納米CT、X射線衍射儀、X射線熒光光譜儀、電子順磁共振波譜儀(ESR/EPR)、臺式核磁共振波譜儀 TD-NMR、光學(xué)輪廓儀等 -- 德國布魯克Bruker 授權(quán)代理商

--PDF衍射數(shù)據(jù)庫、JADE軟件--國際衍射數(shù)據(jù)中心(ICDD)授權(quán)代理商

--晶圓片壽命檢測儀、在線晶圓片/晶錠點(diǎn)掃或面掃檢測、晶圓片在線面掃檢測儀、臺式PID潛在誘導(dǎo)退化測試儀、釋光測定儀等--德國Freiberg Instruments授權(quán)代理商



單位名稱:束蘊(yùn)儀器(上海)有限公司

詳細(xì)地址:上海市松江區(qū)千帆路288弄G60科創(chuàng)云廊3號樓602室









MicroCT,顯微CT,微焦點(diǎn)CT,骨骼成像,顯微CT材料學(xué)檢測,微納顯微CT,X射線斷層掃描,TOC,元素檢測

價(jià)格區(qū)間 面議 儀器種類 飛行時(shí)間
應(yīng)用領(lǐng)域 能源,電子/電池

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀 PHI nanoTOF3+ 

特征

先進(jìn)的多功能TOF-SIMS具有更強(qiáng)大的微區(qū)分析能力,更加出色的分析精度 

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀

新一代 TRIFT 質(zhì)量分析器,更好的質(zhì)量分辨率 

適用于絕緣材料的無人值守自動(dòng)化多樣品分析 

離子束技術(shù) 

平行成像 MS/MS 功能,助力有機(jī)大分子結(jié)構(gòu)分析 

多功能選配附件

TRIFT分析器適用于各種形狀的樣品 寬帶通能量+寬立體接收角度

寬帶通能量、寬立體接受角-適用于各種形貌樣品分析

主離子束激發(fā)的二次離子會以不同角度和能量從樣品表面飛 出,特別是對于有高度差異和形貌不規(guī)則的樣品,即使相同 的二次離子在分析器中會存在飛行時(shí)間上的差異,因此導(dǎo)致 質(zhì)量分辨率變差,并對譜峰形狀和背景產(chǎn)生影響。 TRIFT質(zhì)量分析器可以同時(shí)對二次離子發(fā)射角度和能量進(jìn)行 校正, 保證相同二次離子的飛行時(shí)間一致, 所以TRIFT兼顧 了高質(zhì)量分辨率和高檢測靈敏度優(yōu)勢,而且對于不平整樣品 的成像可以減少陰影效應(yīng)。

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀

實(shí)現(xiàn)高精度分析的一次離子設(shè)備

先進(jìn)的離子束技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高質(zhì)量分辨

PHI nanoTOF3+ 能夠提供高質(zhì)量分辨和高空間分辨的TOF-SIMS分析:在高質(zhì)量分辨模式下,其空間分辨率優(yōu)于500nm ;在高空間分辨模式下,其空間分辨模式優(yōu)于50 nm。通過結(jié)合強(qiáng)度高離子源、高精度脈沖組件和高分辨率質(zhì)量分析器,可以實(shí)現(xiàn)低噪聲、高靈敏度和高質(zhì)量分辨率的測量;在這兩種模式下,只需幾分鐘的測試時(shí)間,均可完成采譜分析。

前所未見的無人值守TOF-SIMS自動(dòng)化多樣品分析 -適用于絕緣材料

PHI nanoTOF3+搭載全新開發(fā)的自動(dòng)化多樣品分析功能,程序可根據(jù) 樣品導(dǎo)電性自動(dòng)調(diào)整分析時(shí)所需的高度與樣品臺偏壓, 可以對包括 絕緣材料在內(nèi)的各類樣品進(jìn)行無人值守自動(dòng)化TOF-SIMS分析。 整個(gè)分析過程非常簡單, 只需三步即可對多個(gè)樣品進(jìn)行表面或深度 分析 :①在進(jìn)樣室拍攝樣品臺照片 ;②在進(jìn)樣室拍攝的照片上分析點(diǎn) ;③按下分析鍵,設(shè)備自動(dòng)開始分析。 過去,必須有熟練的操作人員專門操作儀器才能進(jìn)行TOF-SIMS分析 ; 現(xiàn)在,無論操作人員是否熟練,都可以獲得高質(zhì)量的分析數(shù)據(jù)

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀

標(biāo)配自動(dòng)化傳樣系統(tǒng)

PHI nanoTOF3+配置了在XPS上表現(xiàn)優(yōu)異的全自動(dòng)樣品傳送系 統(tǒng) :樣品尺寸可達(dá)100mmx100 mm, 而且分析室標(biāo)配內(nèi)置 樣品托停放裝置 ;結(jié)合分析序列編輯器(Queue Editor),可以實(shí)現(xiàn)對大量樣品的全自動(dòng)連續(xù)測試。

采用新開發(fā)的脈沖氳離子設(shè)備獲得證書的自動(dòng)荷電雙束中和技術(shù)

TOF-SIMS測試的大部分樣品為絕緣樣品,而絕緣樣品表面 通常有荷電效應(yīng)。PHI nanoTOF3+ 采用自動(dòng)荷電雙束中和 技術(shù),通過同時(shí)發(fā)射低能量電子束和低能量氳離子束,可實(shí)現(xiàn)對任何類型和各種形貌的絕緣材料的真正自動(dòng)荷電中和,無需額外的人為操作。 

*需要選配Ar離子設(shè)備

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀

遠(yuǎn)程訪問實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程控制儀器

PHI nanoTOF3+允許通過局域網(wǎng)或互聯(lián)網(wǎng)訪問儀器。 只需將樣品臺放入進(jìn)樣室, 就可以對進(jìn)樣、換樣、測試和分析等所有操作進(jìn)行遠(yuǎn)程控制。我們的專業(yè)人員可以對儀器進(jìn)行遠(yuǎn)程診斷。

*如需遠(yuǎn)程診斷,請聯(lián)系我們的客戶服務(wù)人員。

從截面加工到截面分析: 只需一個(gè)離子源即可完成

標(biāo)配離子設(shè)備FIB(Focused lon Beam)功能

在PHI nanoTOF3+中, 液態(tài)金屬離子具設(shè)備備 FIB功能, 可以使用單個(gè)離子設(shè)備對樣品進(jìn)行 橫截面加工和橫截面TOF-SIMS分析。通過操 作計(jì)算機(jī), 可以快速輕松地完成從FIB處理 到TOF-SIMS分析的全過程。此外,可在冷卻 條件下進(jìn)行FIB加工。 

在選配Ga源進(jìn)行FIB加工時(shí),可以獲得FIB加 工區(qū)域的3D影像 ;Ga源還可以作為第二分析 源進(jìn)行TOF-SIMS分析。

通過平行成像MS/MS進(jìn)行 分子結(jié)構(gòu)分析[選配]

MS/MS平行成像 同時(shí)采集MS1/MS2數(shù)據(jù)

在TOF-SIMS測試中,MS1質(zhì)量分析分析器接收從樣品表面 產(chǎn)生的所有二次離子碎片,對于質(zhì)量數(shù)接近的大分子離子, MS1譜圖難以區(qū)分。通過安裝串聯(lián)質(zhì)譜MS2,對于特定離子 進(jìn)行碰撞誘導(dǎo)解離生產(chǎn)特征離子碎片,MS2譜圖可以實(shí)現(xiàn) 對分子結(jié)構(gòu)的進(jìn)一步鑒定。

PHI nanoTOF3+具備串聯(lián)質(zhì)譜MS/MS平行成像功能, 可以同時(shí)獲取分析區(qū)域的MS1和MS2數(shù)據(jù),為有機(jī)大分子結(jié)構(gòu)解析提供了強(qiáng)有力的工具。


飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀

多樣化配置充分發(fā)揮TOF-SIMS潛力

可拆卸手套箱:可安裝在樣品導(dǎo)入室

可以選配直接連接到樣品進(jìn)樣室的可拆卸手套箱。 鋰離子電池和有機(jī) OLED等容易與大氣發(fā)生反應(yīng)的樣品可以直接安裝在樣品臺上。此外,在 冷卻分析后更換樣品時(shí),可以防止樣品表面結(jié)霜。

飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀

氬團(tuán)簇離子源(Ar-GCIB):有機(jī)材料深度剖析

使用氬團(tuán)簇離子源(Ar-GCIB)能夠有效減少濺射過程中對有機(jī)材料的破壞,從而在刻蝕過程中保留有機(jī)大分子結(jié)構(gòu)信息。

Cs源和Ar/O2源:無機(jī)材料深度剖析

可根據(jù)測試需求選擇不同的離子源提高二次離子產(chǎn)額,使用Cs源可增強(qiáng)負(fù)離子產(chǎn)額 ;O2源可增強(qiáng)正 離子產(chǎn)額



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