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BW-IFSM/ITSM 浪涌測試系統(tǒng)半導體功率測試

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陜西博微電通科技有限責任公司是一家致力于高精度半導體測試設備、電力電子設備、電池安全管理系統(tǒng)及電力儲能解決方案的研發(fā)、生產、銷售的高科技企業(yè)。

公司位于古城西安西咸新區(qū)灃東新城能源金貿區(qū),地理位置環(huán)境*,依托西安眾多高校及研究所,公司擁有一批高素質人才隊伍,從軟件開發(fā)、硬件設計、系統(tǒng)集成、產品升級迭代及售后服務均由專業(yè)技術人員完成,多年來公司與深圳、西安、杭州等多家高科技企業(yè)合作開發(fā)出針對半導體測試、電力電子、能源管理系統(tǒng)系列產品,經過技術迭代,產品功能全面,產品質量可靠,市場口碑優(yōu)秀。

   公司注重產品質量,注重客戶服務滿意度及產品體驗,每一款產品出廠前都經過嚴格的檢驗或第三方機構監(jiān)測,并持續(xù)優(yōu)化產品功能、根據客戶需求定制或迭代升級產品。我們秉承“博厚共贏、服務入微”理念竭誠為每一位客戶提供可靠的、高品質的產品與服務,幫助解決客戶實際使用痛點,開發(fā)難點,節(jié)約生產成本提高工作效率,助力行業(yè)發(fā)展。

半導體測試系統(tǒng):(Semiconductor test system)

針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC半導體測試產品,廣泛應用于半導體企業(yè)測試計量、封裝測試、IDM測試、晶圓測試、DBC測試以及科研教學、智能電力、軌道交通、新能源汽車、白色家電等元器件應用端產業(yè)鏈的來料檢驗、器件選型及科研及院所、實驗室的數據驗證分析和研發(fā)指導等。

半導體測試設備可針對Si/SiC/GaN材料的IPM/IGBT/MOS/DIODE/BJT/SCR等功率器件、光耦、IC可進行高精度靜態(tài)參數測試(包括導通、關斷、擊穿、漏電、增益等直流參數)測試精度可達16位ADC;動態(tài)雙脈沖(包括Turn_ON_L/Turn_OFF_L/FRD/Qg)及Rg/UIS/SC/C/RBSOA測試等;環(huán)境老化測試(包括HTRB/HTGB/H3TRB/Surge/間歇壽命IOL/功率循環(huán)PCT3000 )及熱特性測試(包括PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)半導體器件測試設備/雪崩耐量測試UIS、二極管浪涌測試IFSM、熱阻測試、晶閘管直流參數測試SCR、安全工作區(qū)正偏/反偏/短路安全工作區(qū)測試SOA,各類型探針臺、高精度高低溫箱及分立器件分選機系統(tǒng)等。

電池安全管理及儲能:(Battery safety management and energy storage system)

電池安全管理系統(tǒng)主要是針對電池、蓄電池組、儲能系統(tǒng)安全及應用電池全生命周期系統(tǒng)解決方案,主要產品覆蓋儲能電池BMS、后備電池BMS、動力電池BMS和電池監(jiān)控數據平臺等,產品廣泛應用于儲能,云計算,數據中心,通信網絡,軌道交通,以及商業(yè)和工業(yè)設施關鍵電源領域,將成為國家綠色能源轉型重要系統(tǒng)保障。

 

 

半導體測試設備,功率器件可靠性測試,熱特性安全測試,儲能及電力能源安全管理系統(tǒng)

價格區(qū)間 面議 應用領域 電子/電池,航空航天,汽車及零部件,電氣,綜合


BW-IFSM/ITSM

浪涌電流測試儀


BW-IFSM/ITSM浪涌電流測試儀是二極管等相關半導體器件測試的重要檢測設備,浪涌電流是指  電源接通瞬間或是在電路出現異常情況下產生的遠大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電 流。BW-IFSM/IT 型浪涌電流試驗臺的測試方法符合 JB/T7626-2013 中的相關標準。本系  統(tǒng)通過電容電感值諧振放電產生的電流波,結合上位機測試軟件,最后輸出測試要求 的電流值,包含浪涌電流測試單元,阻斷電壓及漏電流單元和計算機控制。

產品用途:BW-IFSM/ITSM可用于各類二極管(Diode)以及可控硅(SCR)的正向浪涌電流(IFSM)試驗,包括三極管(Triode)、MOSFTE、IGBT等全控器件的內置二極管的浪涌測試。

二極管元件在實際使用中,除了能長期通過額定通態(tài)平均電流外,還應能承受一定倍數的浪涌過載電流而不致?lián)p壞,以便適應在各種應用中的要求。二極管浪涌過載電流如果超過其允許范圍,輕者引起元件性能變壞(如伏安特性、通態(tài)峰值電壓的變化),重者造成燒毀穿通而失去反向阻斷能力。通過浪涌過載電流測試合格的器件,可以大大提高其在使用中的可靠性。

技術指標:

>  浪涌電流(IFSM/ITSM)調節(jié)范圍:0.30~3.60kA

>  分辨率0.01kA,精度±3%±0.01kA

>  電流波形:正弦半波,底寬10ms

>  測試頻率:單次

>  反向電壓(VRRM)調節(jié)范圍:0.20~2.00kV,分辨率0.01kV,精度±5%

>  反向電壓測試頻率:50Hz;

>  反漏電流(IRRM)測試范圍;1.0~100.0mA,分辨率0.1mA,精度±5%±0.1mA

工作方式:

>  由觸摸液晶屏設定浪涌電流大小、反向電壓值及反向漏電流保護值

>  按測試按鍵后設備自動完成測試

外形尺寸:

>  600×800×1900×1(寬×深×高×并柜數,單位:mm)

系統(tǒng)說明:

>  上述設備配置輸出及測試線,但不含測試用“夾具”。該“夾具”用于滿足元件按照標準進行測試時所要求的溫度和壓力測試條件。


浪涌測試系統(tǒng)半導體功率測試 浪涌測試系統(tǒng)半導體功率測試






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